一、电场下的磁矩测量

 

二、具备施加电场功能的磁矩测量样品杆

技术参数

  • 测量范围:1.8 K-400 K; 0 T -13 T
  • 测量方式: 施加电场、磁场面内、磁场面外、磁场任意角度
  • 测试精度10^-7 emu
  • 最大施加电压:1500 V

本产品可在OxfordPTQuantum Design PPMSCryogenics 、Janis等各种低温强磁场平台使用。在1.8 K~400 K和0 T~13 T范围内具有极高的测量精度。此外,可以有多种测量方式,可以实现磁场任意角度下的测量。

三、应用实例

3.1 铁氧体在电场下的磁矩测量

铁氧体。

图1 铁氧体100K_a

图2 铁氧体100K_b

图3 铁氧体200K_a

图4 铁氧体200K_b

3.2 有机磁体在电场下的磁矩测量

有机磁体在25K下的测量。

图5 100 Oe 偏置场下,200 V 电压导致的ZFC曲线变化ΔM

图6 1000 Oe 偏置场下,200 V 电压导致的ZFC曲线变化ΔM

图7 图5及图6两图M变化率(ΔM/M)随温度变化

四、联系我们

本公司提供定制化的解决方案,可以根据您现有的实验设备和具体的需求,为您量身打造最适合您科研实验的多铁/铁电测量样品杆,欢迎您来电咨询。

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