电场下的磁矩测量

一、 技术指标

  • 测量范围:1.8 K-400 K; 0 T -13 T

  • 测量方法:施加电场、磁场面内、磁场面外、磁场任意角度

  • 测试精度10^-7 emu

  • 最大施加电压:1500 V

本产品可在OxfordPT®Quantum Design MPMS®Quantum Design PPMS®Cryogenics® 、Janis®等各种低温强磁场平台使用。在1.8 K~400 K和0 T~13 T范围内具有极高的测量精度。此外,可以有多种测量方式,可以实现磁场任意角度下的测量。

二、产品实物

图1  低温(磁)介电样品杆

三、实例

3.1 铁氧体在电场下的磁矩测量

图2  铁氧体在100 K的M-E曲线

图3  铁氧体在100 K下的电场控磁

图4  铁氧体在200 K的M-E曲线

图5  铁氧体在200 K的电场控磁

3.2 有机磁体在电场下的磁矩测量

图6 100 Oe 偏置场下,200 V 电压导致的ZFC曲线变化ΔM

图7 1000 Oe 偏置场下,200 V 电压导致的ZFC曲线变化ΔM

图8 图6及图7两图M变化率(ΔM/M)随温度变化

四、联系我们

上述信息未经您的允许不会被公开

立即联系我们

如果您想立即与我们取得联系,请拨打以下电话

  • (+86) 186 1027 8097

  • 186 1027 8097

  • congjunzhuang@multi-field.com

  • 北京市海淀区中关村恒兴大厦