低温(磁)介电测量样品杆

一、 技术指标

  • 测量范围:1.8 K-400 K; 0 T -13 T
  • 控温精度:0.005 K
  • 测量频率:20 Hz-2 MHz
  • 测量方法:磁场面内、磁场面外、磁场任意角度
  • 测试精度:0.1 fF(一般LCR表), 最高可实现8位的分辨率(AH-2700)

本产品提供包括样品杆、射频同轴线材,可在OxfordPTQuantum Design PPMSCryogenics 、Janis等各种低温强磁场平台使用。在1.8 K~400 K和0 T~13 T范围内具有极高的信噪比。

二、 介电实例

2.1 低温,多频段介电测量

某样品的低温多频段介电测量。

图1 多频 ε – T 测量

图2 低温 ε – H 测量

图3 低温 ε – f 测量

2.2 BaFe12O19

在2 K下通过本样品杆测试BaFe12O19单晶样品在c方向的介电常数随磁场的变化,如图4所示,可以得到优于0.1 fF的数据,这也显示了本产品优异的性能。

图4 BaFe12O19介电常数随磁场变化

三、联系我们

本公司提供定制化的解决方案,可以根据您现有的实验设备和具体的需求,为您量身打造最适合您科研实验的磁致伸缩/热膨胀系数测量样品杆,欢迎您来电咨询。

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