低温(磁)介电测量

一、 技术指标

  • 测量范围:1.8 K-400 K; 0 T -13 T

  • 控温精度:0.005 K

  • 测量频率:20 Hz-2 MHz

  • 测量方法:磁场面内、磁场面外、磁场任意角度

  • 测试精度:0.1 fF(一般LCR表), 最高可实现8位的分辨率(AH-2700)

本产品提供包括样品杆、射频同轴线材,可在OxfordPT®Quantum Design PPMS®Cryogenics® 、Janis®等各种低温强磁场平台使用。在1.8 K~400 K和0 T~13 T范围内具有极高的信噪比。

二、产品实物

图一分别展示了适配PPMS的通用介电样品杆,可插拔样品托设计极大的提高了样品的测量效率。

图1  低温(磁)介电样品杆

三、实例

3.1低温,多频段介电测量

图2  低温多频介电常数随磁场变化

图3  低温介电常数随磁场变化

图4  低温介电常数随频率的变化

3.2 BaFe12O19

在2 K下通过本样品杆测试BaFe12O19单晶样品在c方向的介电常数随磁场的变化,如图4所示,可以得到优于0.1 fF的数据,这也显示了本产品优异的性能。

图5 BaFe12O19介电常数随磁场变化

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